性能特点
采用第6代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
有条件接受客户定制
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V)
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1700V)
第6.1代NX系列IGBT模块
性能特点
同第六代,低损耗,且最高结温达175°CViso = 4000Vrms
NX-M封装模块扩展到600A电流等级